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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 180A
- 导通电阻(RDS(on))
- 3mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单N型场效应晶体管，采用Trench技术技术，适用于各种高功率电源管理和功率控制应用。TO220；N—Channel沟道,100V；180A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~3.5V；
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