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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 600V
- 连续漏极电流(Id)
- 2A
- 导通电阻(RDS(on))
- 3.7Ω@10V
描述高压MOSFET采用先进的终端方案，可在不随时间推移而降低性能的情况下增强耐压能力。此外，这款先进的MOSFET经设计可承受雪崩和换向模式下的高能量。全新的节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏源二极管
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