IRF7201PBF-HXY

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

SOP-8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C22366576

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

8.5A

导通电阻(RDS(on))

18mΩ@10V

描述IRF7201PbF N沟道MOSFET采用SOP-8封装，专为高功率、高效能电路设计。器件特性包括30V的最大漏源电压(VDSS)，以及8.5A的连续电流承载能力，其导通电阻低至14mΩ，确保在大电流应用中实现卓越的能效与低功耗表现。广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等场景，以出色的电流处理能力和可靠的电气性能，为您的电路设计提供强大支持。

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