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1个N沟道 耐压:800V 电流:19.5A
STB25N80K5
品牌
ST(意法半导体)
封装
TO-263
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2688648
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
800V
连续漏极电流(Id)
19.5A
导通电阻(RDS(on))
260mΩ@10V

描述N沟道800 V、0.19 Ohm典型值、19.5 A MDmesh K5功率MOSFET,D2PAK封装

RoHS

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