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操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 500V
- 连续漏极电流(Id)
- 3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.7Ω@10V
描述这些高压器件是采用SuperMESH技术开发的齐纳保护N沟道功率MOSFET，是成熟的PowerMESH技术的优化。除了显著降低导通电阻外，这些器件还旨在为最苛刻的应用确保高水平的dv/dt能力。
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