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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 80A
- 导通电阻(RDS(on))
- 23mΩ@10V
描述此功率MOSFET系列采用独特工艺设计，旨在最小化输入电容和栅极电荷。适用于电信和计算机应用中的先进高效、高频隔离式DC-DC转换器的初级开关。也适用于低栅极驱动要求的任何应用。
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