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N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:30V 电流:160A
HYG024N03LR1B
品牌
HUAYI(华羿微)
封装
TO-263-2L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2843503
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
160A
导通电阻(RDS(on))
3.3mΩ@4.5V

描述特性:30V/160A,RDS(ON) = 2.1mΩ(典型值)@VGS = 10V,RDS(ON) = 2.7mΩ(典型值)@VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无铅和环保器件(符合RoHS标准)。应用:开关应用。 逆变器系统的电源管理

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