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- 晶体管类型
- NPN
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 35V
- 集电极电流(Ic)
- 15mA
- 耗散功率(Pd)
- 165mW
描述特性：封装：透明硅胶。 ESD：根据ANSI/ESDA/JEDEC JS-001（HBM，2类）标准，2 kV。 灵敏度光谱范围：（典型值）730 ... 1120 nm。 高光敏度。 高线性度。 有分组可选。应用：电子设备。 工业自动化（机器控制、光栅、视觉控制）
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