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隔离式大电流IGBT/MOSFET栅极驱动器
NCV57080BDR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-8
类目
隔离式栅极驱动器
编号
C2902053
隔离电压(Vrms)
3750
负载类型
IGBT;MOSFET
通道数
1
输入侧工作电压
3.1V~20V

描述NCx57080y、NCx57081y 是高电流单通道 IGBT/MOSFET 栅极驱动器,具备 3.75 kVrms 的内部电流隔离,专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。这些器件接受互补输入,并根据引脚配置,为系统设计提供便利选项,如有源米勒钳位(A 版本)、负电源(B 版本)以及独立的高低(OUTH 和 OUTL)驱动器输出(C 版本)。该驱动器可适应 3.3 V 至 20 V 的宽范围输入偏置电压和信号电平,采用窄体 SOIC - 8 封装。

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