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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 200V
- 连续漏极电流(Id)
- 30A
- 导通电阻(RDS(on))
- 75mΩ@5V
描述N沟道200 V、0.065 Ohm、30 A、D2PAK STripFET(TM)功率MOSFET
RoHS
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- ￥5.430857
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