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操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 40V
- 连续漏极电流(Id)
- 60A
- 导通电阻(RDS(on))
- 12mΩ@4.5V
描述TF60N04将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
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