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N沟道+P沟道 耐压:30V 电流:11A
AP4509GM-VB
品牌
VBsemi(微碧半导体)
封装
SO-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C29778906
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
11A
导通电阻(RDS(on))
13mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)
3W

描述SOP8;N+P—Channel沟道,±30V;11/-10.5A;RDS(ON)=11/21mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1 / -0.9~2.2/-2.5V;

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