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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 600V
- 连续漏极电流(Id)
- 2A
- 导通电阻(RDS(on))
- 4.3Ω@10V
描述特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.3Ω（典型值）。 高正向传输导纳：|Yfs| = 1.0S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（VDS = 600V）。 增强模式：Vth = 2.4 至 4.4V（VDS = 10V，ID = 1mA）
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