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- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 87mΩ@4.5V
描述该款消费级P沟道MOSFET采用小型SOT-23封装，专为20V电压系统设计，额定电流为3A。具备出色的低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于充电设备、电源转换等场合，提供高效能、可靠的功率控制解决方案。
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