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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 30A
- 导通电阻(RDS(on))
- 20mΩ@4.5V
描述本款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型DFN3X3-8L封装，额定电压30V，连续电流高达30A。专为高效能、小体积电路设计，适用于电源转换、负载切换以及电池管理系统等应用，提供卓越的功率密度和稳定性，满足现代电子产品的小型化需求。
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