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- 集射极击穿电压(Vces)
- 4kV
- 集电极电流(Ic)
- 90A
- 耗散功率(Pd)
- 380W
- 输出电容(Coes)
- 278pF
描述特性：硅芯片采用直接铜键合（DCB）基板。 隔离安装表面。 4000V~ 电气隔离。 UL认证封装。 高脉冲电流能力。 低饱和电压。应用：电容放电。 脉冲电路
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