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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 200V
- 连续漏极电流(Id)
- 3.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.5Ω@10V
描述第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。D2PAK（TO - 263）是一种表面贴装功率封装，能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片。在现有的任何表面贴装封装中，它具有最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻
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