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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 47A
- 导通电阻(RDS(on))
- 11.8mΩ@10V
描述特性：N沟道汽车应用OptiMOS功率MOSFET。 增强模式。 正常水平-超出AEC-Q101的扩展认证。 增强型电气测试。 稳健设计。 MSL1可达260℃峰值回流温度。应用：一般汽车应用
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