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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 120A
- 导通电阻(RDS(on))
- 3.2mΩ@10V
描述特性：OptiMOS功率MOSFET，适用于汽车应用，N沟道。 增强模式。 逻辑电平。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
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