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1个N沟道 耐压:650V 电流:10.1A
IPA65R650CEXKSA1
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
TO-220-3-FP
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3278863
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
10.1A
导通电阻(RDS(on))
650mΩ@10V

描述CoolIMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。CoolIMOS CE是一个性价比优化的平台,能够满足消费和照明市场对成本敏感的应用需求,同时仍符合最高效率标准。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点,同时不牺牲易用性,并提供了市场上最佳的成本效益比。

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