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操作
- 数量
- 1个N沟道
- 类型
- N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 1.2kV
- 连续漏极电流(Id)
- 90A
描述碳化硅功率 MOSFET 1200 V、21 mOhm（典型值）、90 A，采用 H2PAK-7 封装
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- 对比
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个
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