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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 40V
- 连续漏极电流(Id)
- 100A
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.4mΩ@10V
描述特性：用于汽车应用的功率MOSFET-N沟道。 增强模式。 逻辑电平。 通过AEC Q101认证。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 工作温度175℃。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
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