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N沟道 100V 100A
CMSA050N10
品牌
Cmos(广东场效应半导体)
封装
DFN-8(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C39840885
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
100A
导通电阻(RDS(on))
4.8mΩ@10V

描述CMSA050N10采用先进的SGT技术,可提供出色的RDS(ON)。该工艺针对导通电阻进行了优化,同时仍保持卓越的开关性能。

RoHS

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