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- 类目
- 碳化硅二极管
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- WOLFSPEED
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
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操作
- 正向压降(Vf)
- 1.7V@2A
- 直流反向耐压(Vr)
- 600V
- 反向电流(Ir)
- 50uA@600V
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描述该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，最大反向重复峰值电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.3V，在浪涌条件下可承受高达64A的非重复峰值正向电流（IFSM）。凭借碳化硅材料的特性，器件在高频、高温环境下表现出优异的开关性能与热稳定性，适用于对效率和功率密度有较高要求的电源转换场合。
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