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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 50A
- 导通电阻(RDS(on))
- 15mΩ@10V
描述中低压MOSFET产品，N沟道，耐压：60V,电流：50A,RDSON:15mR
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