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操作
- 数量
- 2个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 12A
- 导通电阻(RDS(on))
- 8mΩ@10V；11mΩ@4.5V
描述中低压MOSFET产品，两个P沟道，耐压：-30V,电流：-12A,RDSON:8mR
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