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1个N沟道 耐压:30V 电流:6.5A
MVGSF1N02LT1G-VB
品牌
VBsemi(微碧半导体)
封装
SOT-23(TO-236)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C41370355
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
6.5A
导通电阻(RDS(on))
30mΩ@10V;33mΩ@4.5V

描述SOT23;N—Channel沟道,30V;6.5A;RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.2~2.2V;

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