HMMBT5401T

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

SOT-523

类目

三极管(BJT)

编号

C41419588

晶体管类型

PNP

集电极电流(Ic)

600mA

集射极击穿电压(Vceo)

150V

耗散功率(Pd)

300mW

描述此款PNP型双极结型晶体管（BJT）具备0.6A的集电极最大电流（IC），最高可承受150V的集电极-发射极电压（VCEO），其电流增益（HFE）范围为100至300，特征频率（FT）达到100MHz。该晶体管适用于高频开关及放大应用，适用于电信号处理与控制，以及消费电子中的音频放大和信号调节电路中，能够提供稳定的性能和可靠的电流控制能力。

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