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操作
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 40V
- 连续漏极电流(Id)
- 8A
- 导通电阻(RDS(on))
- 19mΩ@10V；23mΩ@4.5V
描述中低压MOSFET产品，P沟道，耐压：-40V,电流：-8A,RDSON:19mR
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