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- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 200V
- 连续漏极电流(Id)
- 10A
- 导通电阻(RDS(on))
- 810mΩ@10V
描述HSH10P20采用先进的沟槽MOSFET技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷，适用于各种其他应用。
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