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操作
- 驱动配置
- 半桥
- 负载类型
- MOSFET
- 工作电压
- 4.5V~28V
- 下降时间(tf)
- 60ns
描述G2302B1 是一款为控制 N&N 沟道 MOSFETs而设计的三路 Gate 驱动 IC。芯片内部有 3个半桥,共驱动 3 个上臂 N 沟道功率MOSFETs和3个下臂 N沟道功率MOSFETs,每一路输出均由单一逻辑输入信号控制, 由MCU 或控制器来控制马达工作于任意模式。芯片内部集成了 3.3/5V 的 LDO,电流能力达 到 100mA。 内置死区时间和直通保护逻辑,防止上、下桥臂的功率管同时导通。 G2302B1 封装类型为 TSSOP20
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