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- 漏源电压(Vdss)
- 250V
- 连续漏极电流(Id)
- 180A
- 导通电阻(RDS(on))
- 12.5mΩ@10V
- 耗散功率(Pd)
- 500W
描述超结 MOSFET产品，N沟道，耐压：250V，电流：180A, Rdson：10mR，带快恢复
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