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操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 1.05kV
- 连续漏极电流(Id)
- 1.5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 8.5Ω@10V
描述这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
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