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价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 62A
- 导通电阻(RDS(on))
- 40mΩ@10V
- 耗散功率(Pd)
- 416W
描述这是一款采用Cmos先进超结技术的功率MOSFET,可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术,为线路提供更高的效率。可快速应用于新的和现有的离线电源设计中
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