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操作
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 18V
- 连续漏极电流(Id)
- 9A
- 导通电阻(RDS(on))
- 17mΩ@4.5V
描述高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合 RoHS 和绿色产品要求，具备完整的功能可靠性。
RoHS
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