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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 12A
- 导通电阻(RDS(on))
- 10mΩ
描述特性：超低栅极电荷。 提供环保型器件。 出色的Cdv/dt效应抑制。 先进的高单元密度沟槽技术。应用：PWM应用。 负载开关
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