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- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 85A
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.8mΩ@10V
描述沟槽功率MOSFET技术。低导通电阻RDS(ON)。低栅极电荷。高电流能力。符合RoHS和无卤标准
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