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- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 20A
- 导通电阻(RDS(on))
- 190mΩ@10V
- 耗散功率(Pd)
- 208W
描述台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道；650V；20A；RDS(ON)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30VVth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术
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