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价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 2个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 46mΩ@10V
描述是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的 RDSON 和栅极电荷。符合 RoHS 和绿色产品要求，100% EAS 保证，具备完整功能可靠性认证。
RoHS
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