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操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 22A
- 导通电阻(RDS(on))
- 8.2mΩ@10V
描述此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效以及最大程度降低其开关节点噪声而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON)、快速开关和体二极管逆向恢复功能。
RoHS
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- 对比
- ￥5.82857
- ￥5.775583
- ￥5.722596
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