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N沟道 60V 97A
IXTY90N055T2-VB
品牌
VBsemi(微碧半导体)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C46527472
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
97A
导通电阻(RDS(on))
12mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)
101W

描述台积电流片,长电科技封装;TO252;N—Channel沟道;60V;58A;RDS(ON)=10(mΩ);VGS=±20V;Vth=2.5V;采用Trench技术;

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