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-60V,TO252封装,沟槽型单P沟道MOSFET
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
35A
导通电阻(RDS(on))
58mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)
38.5W

描述台积电流片,长电科技封装;TO252;P—Channel沟道;-60V;-35A;RDS(ON)=46(mΩ);VGS=±20V;Vth=-1.7V;采用Trench技术;

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