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- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 47A
- 导通电阻(RDS(on))
- 60mΩ@10V
- 耗散功率(Pd)
- 415W
描述台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道；650V；47A；RDS(ON)=50(mΩ)；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术；
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