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价格梯度(含税)
库存交期
操作
- IGBT类型
- FS(场截止)
- 集射极击穿电压(Vces)
- 650V
- 集电极电流(Ic)
- 120A
- 耗散功率(Pd)
- 468W
描述沟槽栅场截止IGBT，M系列，650 V、75 A，低损耗
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥25.657593
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- 库存
- 1680
- 增量
- 30
- 最小包装
- 30个
个
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