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C4D20120H
品牌
WOLFSPEED
封装
TO-247-2
类目
碳化硅二极管
编号
C5568106
整流电流
54A
正向压降(Vf)
1.8V@20A
直流反向耐压(Vr)
1.2kV
反向电流(Ir)
200uA@1200V

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碳化硅肖特基二极管
GC4D20120H
品牌
SUPSiC(国晶微半导体)
封装
TO-247-2
类目
碳化硅二极管
编号
C7435089
整流电流
54A
正向压降(Vf)
1.5V
直流反向耐压(Vr)
1.2kV
反向电流(Ir)
200uA@1200V

描述总电容电荷(Qc):52nC 总功率(Ptot):352W

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近期成交6单

碳化硅肖特基二极管
SC4D20120H
品牌
JSMSEMI(杰盛微)
封装
TO-247-2
类目
碳化硅二极管
编号
C49450293
正向压降(Vf)
1.8V@20A
直流反向耐压(Vr)
1.2kV
反向电流(Ir)
200uA@1200V
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)
140A

描述全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 20A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

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碳化硅肖特基二极管
HC4D20120H
品牌
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247-2L
类目
碳化硅二极管
编号
C19723889
二极管配置
独立式
正向压降(Vf)
1.5V@20A
直流反向耐压(Vr)
1.2kV
反向电流(Ir)
200uA@1200V

描述这款碳化硅肖特基二极管采用TO-247-2L封装,具有1200V高反向耐压和20A大电流承载能力,其正向导通电压VF为1.5V。专为高端电源转换、电动汽车充电系统及工业应用打造,提供卓越的高温稳定性和快速恢复性能,实现高效能电力整流解决方案。

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替代参考
安邦 碳化硅肖特基二极管 1200V 20A TO-247-2
ASYD020120C
品牌
AnBon(安邦)
封装
TO-247-2
类目
碳化硅二极管
编号
C50132426
整流电流
20A
正向压降(Vf)
1.7V@20A
直流反向耐压(Vr)
1.2kV
反向电流(Ir)
100uA@1200V

描述SiC Schottky; Vrrm=1200V, If=20A@Tc=155℃, Vf=1.5V@20A

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