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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 600V
- 连续漏极电流(Id)
- 7A
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.05Ω@10V
描述这种功率MOSFET采用先进技术制造，使功率MOSFET具有更好的特性，如快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷，特别是出色的雪崩特性。
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