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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 80A
- 导通电阻(RDS(on))
- 8.5mΩ@10V
描述KCX3406A是一款采用KIA公司的LVMOS技术制造的N沟道增强型功率MOS场效应晶体管。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，并提供出色的开关性能。该器件广泛应用于次级同步整流器、逆变器系统的电源管理
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