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- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 55V
- 连续漏极电流(Id)
- 6.8A
- 导通电阻(RDS(on))
- 125mΩ@4.5V
描述WSP6055是具有极高单元密度的高性能沟槽P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSP6055符合RoHS和绿色产品要求，100%经过雪崩能量（EAS）测试保证，具备完整的功能可靠性认证。
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