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1个P沟道 耐压:60V 电流:30A
FQD17P06-VB
品牌
VBsemi(微碧半导体)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5240533
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
30A
导通电阻(RDS(on))
61mΩ@10V

描述台积电流片,长电科技封装;是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管,采用Trench工艺,其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。TO252;P—Channel沟道,-60V;-30A;RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3V;

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