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- 数量
- 2个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 15V
- 连续漏极电流(Id)
- 4.6A
- 导通电阻(RDS(on))
- 47mΩ@4.5V
描述WSD4280DN22 集成了采用高单元密度和 DMOS 沟槽技术制造的 P 沟道增强型功率 MOSFET 以及低正向电压肖特基二极管。其小巧纤薄的外形节省了 PCB 占用空间。
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